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标题
Silicon doping and N2 annealing effects on Zn3N2 thin film transistors
硅掺杂和N2退火对Zn3N2薄膜晶体管的影响
相关领域
薄膜晶体管 材料科学 光电子学 兴奋剂 退火(玻璃) 阈值电压 活动层 钝化 晶体管 场效应 溅射沉积 溅射 氧化物薄膜晶体管 薄膜 图层(电子) 电压 纳米技术 电气工程 复合材料 工程类
网址
DOI
10.1016/j.vacuum.2021.110864 doi
其它 期刊:Vacuum
作者:Kaiwen Li; Dong Lin; Jinhua Ren; Qun Zhang
出版日期:2022-01-01
求助人
可爱的函函 在 2025-12-10 17:32:57 发布自江西,悬赏 10 积分
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