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2.69 kV/2.11 mΩ⋅cm and Low Leakage p-GaN Stripe Array Gated Hybrid Anode Diodes With Low Turn-on Voltage 2.69 kV/2.11M Ω⋅cm和低泄漏p-GaN条纹阵列栅控混合阳极二极管,具有低导通电压
相关领域
阳极
符号
二极管
物理
电气工程
数学
光电子学
量子力学
算术
工程类
电极
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Xing Wei; Wenchao Shen; Xin Zhou; Wenbo Tang; Yongjian Ma; et al 出版日期:2022-11-07 |
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