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 Comparative study of phonon-limited mobility of two-dimensional electrons in strained and unstrained Si metal–oxide–semiconductor field-effect transistors 应变与非应变Si金属氧化物半导体场效应晶体管中二维电子声子限制迁移率的比较研究
相关领域
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材料科学
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散射
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Shinichi Takagi; Judy L. Hoyt; J.J. Welser; J. F. Gibbons 出版日期：1996-08-01 |
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