Photoelectron Holographic Study for Atomic Site Occupancy for Si Dopants in Si-Doped κ-Ga2O3(001)

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标题	Photoelectron Holographic Study for Atomic Site Occupancy for Si Dopants in Si-Doped κ-Ga2O3(001) Si掺杂κ-Ga2O3（001）中Si掺杂剂原子位置占据的光电子全息研究相关领域掺杂剂 X射线光电子能谱八面体兴奋剂结晶学化学材料科学分析化学（期刊）晶体结构核磁共振物理光电子学色谱法
网址	https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c00482
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？ AI识别 10.1021/acs.nanolett.4c00482 doi
求助人	意兴不阑珊在 2025-02-17 10:00:13 发布自浙江，悬赏 10 积分
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