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 Common Defects Accelerate Charge Carrier Recombination in CsSnI3 without Creating Mid-Gap States 常见缺陷加速CsSnI3中载流子复合而不产生中间能隙态
相关领域
载流子
晶体缺陷
化学物理
材料科学
重组
带隙
卤化物
从头算量子化学方法
凝聚态物理
从头算
光电子学
分子物理学
物理
化学
分子
无机化学
基因
生物化学
有机化学
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期刊：Journal of Physical Chemistry Letters 作者：Yifan Wu; Weibin Chu; A. S. Vasenko; Oleg V. Prezhdo 出版日期：2021-09-02 |
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