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 Surface-state-induced upward band bending in P doped g-C3N4 for the formation of an isotype heterojunction between bulk g-C3N4 and P doped g-C3N4: photocatalytic hydrogen production P掺杂g-C3N4中表面态诱导的能带向上弯曲形成本体g-C3N4和P掺杂g-C3N4同型异质结：光催化制氢
相关领域
异质结
带材弯曲
半导体
兴奋剂
材料科学
纳米材料
化学状态
纳米技术
凝聚态物理
光电子学
化学工程
物理
X射线光电子能谱
工程类
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期刊：Catalysis Science & Technology 作者：Nithya Thangavel; Kavitha Pandi; A. R. Mahammed Shaheer; Bernaurdshaw Neppolian 出版日期：2020-09-25 |
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