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Retention failure recovery technique for 3D TLC NAND flash memory via wordline (WL) interference
基于字线(WL)干扰的三维TLC NAND闪存保持失效恢复技术
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计算机科学
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期刊:Solid-State Electronics 作者:Zongliang Huo; Qi Wang; Qianhui Li; Jing He; Zongliang Huo 出版日期:2022-08-01 |
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