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标题
Comprehensive Analysis of Distinct TID Effects on SGT MOSFETs at On/Off States and Radiation Hardening Strategies
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DOI
10.1109/ted.2025.3602045 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Electron Devices
作者:Junfeng Yu; Jihong Ding; Haonan Liu; Jun Ye; Xuan Xiao; et al
出版日期:2025-10-01
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