Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric memristor with multilevel storage potential and artificial synaptic plasticity

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标题	Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric memristor with multilevel storage potential and artificial synaptic plasticity
网址	https://doi.org/10.1007/s40843-020-1444-1
DOI	10.1007/s40843-020-1444-1 doi
其它	期刊：Science China. Materials 作者：Tianqi Yu; Fuchao He; Jianhui Zhao; Zhenyu Zhou; Jingjing Chang; et al 出版日期：2020-09-25
求助人	165 在 2026-09-19 21:50:19 发布自河北，悬赏 10 积分
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