A Bootstrap Diode Fabricated by a New 1200-V Silicon-on-Insulator Bipolar-CMOS-DMOS Process for High Voltage Integrated Circuits

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标题	A Bootstrap Diode Fabricated by a New 1200-V Silicon-on-Insulator Bipolar-CMOS-DMOS Process for High Voltage Integrated Circuits
网址	https://doi.org/10.1109/led.2026.3651510
DOI	10.1109/led.2026.3651510 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Chengwu Pan; Mingxin Sun; Nailong He; Jiayu Li; Mengyan Wu; et al 出版日期：2026-01-12
求助人	haha 在 2026-07-14 16:03:28 发布自浙江，悬赏 10 积分
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