Comparative Analysis of Grain Boundary Effects in FET-Type and Diode-Type 3-D nand flash memory

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标题	Comparative Analysis of Grain Boundary Effects in FET-Type and Diode-Type 3-D nand flash memory
网址	https://doi.org/10.1109/TED.2025.3602378
DOI	10.1109/TED.2025.3602378 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jinsu Kim; Hansol Kim; Jisung Im; Sung-Tae Lee; Dongseok Kwon; et al 出版日期：2025
求助人	英吉利25 在 2026-05-10 17:07:25 发布自天津，悬赏 10 积分
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