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AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes With Varied Thickness of Sidewall Passivation via Atomic Layer Deposition
不同厚度侧壁钝化的AlGaN基深紫外发光二极管
相关领域
发光二极管
钝化
原子层沉积
光电子学
电致发光
材料科学
二极管
紫外线
量子效率
图层(电子)
纳米技术
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期刊:I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者:Kang-Wei Peng; Shouqiang Lai; Meng-Chun Shen; Saijun Li; Lei Zheng; et al 出版日期:2023-11-01 |
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