| 标题 |
[高分] 学位论文 β-二酮钇配合物的合成及原子层沉积氧化钇薄膜
|
| 网址 |
求助人暂未提供
|
| DOI |
暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
|
| 其它 |
β-二酮钇配合物的合成及原子层沉积氧化钇薄膜 张新强 江南大学 摘要：随着半导体技术的飞速发展,集成电路（Integrated Circuit,IC）的特征尺寸不断缩小,器件性能要求日益提高,而传统的SiO2栅极电介质薄膜材料在尺寸缩写时遇到的物理极限会导致漏电流急剧上升,从而影响晶体管的性能,且难以满足半导体器件对栅电容、热稳定性、工艺兼容性和可靠性等方面的需求。氧化钇（Y2O3）因其优异特性被认为是替代SiO2作为栅极电介质的最具潜力的高介电常数（高k）材料之一,受到了学术界和产业界的广泛关注与研究。原子层沉积（Atomic Layer Deposition,ALD）技术凭借其独特的自限性和自饱和生长机制,能够精确控制薄膜的厚度和成分,同时实现优异的保形性和均匀性,成为制备高质量薄膜的首选技术。但制备理想高质量薄膜过程中所选用的配体体系存在诸多限制,例如:烷氧基配体的热稳定性难以满足高温工艺需求;茂基配体的复杂合成路线制约了其规模化生产;胍基配体的高昂成本限制了其工业应用;脒基配体的挥发性不足影响了薄膜沉积效率。相比之下,β-二酮配体在原料可获得性、合成经济性和热稳... 更多 关键词： 高k材料;钇前驱体;原子层沉积;氧化钇薄膜;高纯度; 专辑： 工程科技Ⅰ辑;工程科技Ⅱ辑 专题： 化学;材料科学;工业通用技术及设备 DOI： 10.27169/d.cnki.gwqgu.2025.001242 分类号： TB383.2;O641.4 导师： 丁玉强;张文泉 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
Copyright
cdercder
嘻嘻哈哈
无情的聪健
OK
arniu2008
liuzhuohao
Nole
lizishu
Samuel
Oracle
Jessy畅畅
迷人的天抒
火星上的菲鹰
pluto
路豐遙
yjh123
初景
行走的荷尔蒙
皖公网安备34019202002308
