| 标题 |
 Electrical characterization of back-gated bi-layer MoS2 field-effect transistors and the effect of ambient on their performances 背栅双层MoS2场效应晶体管的电学特性及环境对其性能的影响
相关领域
晶体管
材料科学
欧姆接触
光电子学
场效应晶体管
退火（玻璃）
缩放比例
阈值电压
化学吸附
图层（电子）
电压
纳米技术
化学
吸附
电气工程
复合材料
几何学
数学
工程类
有机化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Hao Qiu; Lijia Pan; Zhaolin Yao; Junjie Li; Yi Shi; et al 出版日期：2012-03-19 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
小青椒
Xiaoxiao
从容芮
Dean
tuanheqi
eric888
ceeray23
xxfsx
朝阳区李知恩
馆长
无极微光
laber
风清扬
请叫我风吹麦浪
小杭76
Aluhaer
不配.
Criminology34
BINGBING1230
GingerF
研究生end
竹筏过海
wy.he
昏睡的蟠桃
pcr163
Akarate
dl
皖公网安备34019202002308
