Yield and Failure Analysis of FinFET Source to Drain Leakage in 12nm Technology

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标题	Yield and Failure Analysis of FinFET Source to Drain Leakage in 12nm Technology
网址	https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2020p0038
DOI	10.31399/asm.cp.istfa2020p0038 doi
其它	期刊：Proceedings 作者：Félix Beaudoin; Satish Kodali; Rohan Deshpande; Wayne Zhao; Edmund Banghart; et al 出版日期：2020-12-01
求助人	rxh 在 2026-10-22 16:08:06 发布自湖北，悬赏 10 积分
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