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 Deep Etching of Single- and Polycrystalline Silicon with High Speed, High Aspect Ratio, High Uniformity, and 3D Complexity by Electric Bias-Attenuated Metal-Assisted Chemical Etching (EMaCE) 通过电偏压衰减金属辅助化学蚀刻（EMaCE）对单晶硅和多晶硅进行高速、高纵横比、高均匀性和3D复杂性的深度蚀刻
相关领域
材料科学
蚀刻（微加工）
各向同性腐蚀
硅
多晶硅
反应离子刻蚀
光电子学
干法蚀刻
深反应离子刻蚀
微晶
金属
纵横比（航空）
纳米技术
冶金
图层（电子）
薄膜晶体管
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Liyi Li; Xueying Zhao; Ching‐Ping Wong 出版日期：2014-09-04 |
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