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 Electroluminescence from the sidewall quantum wells in the V-shaped pits of InGaN light emitting diodes InGaN发光二极管V形凹坑中侧壁量子阱的电致发光
相关领域
电致发光
材料科学
光电子学
发光二极管
二极管
量子阱
兴奋剂
波长
宽禁带半导体
电流密度
图层（电子）
光学
激光器
纳米技术
物理
量子力学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiaoming Wu; Junlin Liu; Zhijue Quan; Chuanbing Xiong; Changda Zheng; et al 出版日期：2014-06-02 |
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