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 Effect of process parameters on via formation in Si using deep reactive ion etching 深反应离子刻蚀工艺参数对硅通孔形成的影响
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures Processing Measurement and Phenomena 作者：I. U. Abhulimen; S. Polamreddy; S. L. Burkett; Li Cai; L.W. Schaper 出版日期：2007-10-12 |
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