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 N-doped β-Ga2O3/Si-doped β-Ga2O3 linearly-graded p-n junction by a one-step integrated approach N掺杂β-Ga2O3/Si掺杂β-Ga2O3线性梯度p-n结的一步积分方法
相关领域
兴奋剂
材料科学
p-n结
光电子学
半导体
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| 其它 |
期刊：Journal of Materials Science & Technology 作者：Chenxing Liu; Zhengyuan Wu; Hongchao Zhai; Jason Hoo; Shiping Guo; et al 出版日期：2024-05-28 |
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