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 Enhanced irradiation stability of MOSFET devices realized by improving nucleus density of CrxNbMoTaW generated by lattice shrinkage 通过提高晶格收缩产生的CrxNbMoTaW的核密度来提高MOSFET器件的辐照稳定性
相关领域
材料科学
收缩率
MOSFET
辐照
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核心
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期刊：Materials Today Physics 作者：Wenjing Wei; Hong Yang; Xiaolei Shi; Yang Li; Kai Cui; et al 出版日期：2024-12-01 |
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