Band engineering in transition metal dichalcogenides: Stacked versus lateral heterostructures

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标题	Band engineering in transition metal dichalcogenides: Stacked versus lateral heterostructures 相关领域异质结过渡金属超单元半导体凝聚态物理材料科学电子能带结构极限（数学）化学光电子学物理雷雨数学分析数学气象学生物化学催化作用
网址	https://doi.org/10.1063/1.4953169
DOI	10.1063/1.4953169 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Yuzheng Guo; John Robertson 出版日期：2016-06-06
求助人	小小王科研在 2025-09-25 11:11:14 发布自北京，悬赏 10 积分
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