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 Identification of the defect dominating high temperature reverse leakage current in vertical GaN power diodes through deep level transient spectroscopy 用深能级瞬态光谱识别垂直GaN功率二极管高温反向漏电流的缺陷
相关领域
深能级瞬态光谱
材料科学
光电子学
宽禁带半导体
二极管
掺杂剂
氮化镓
反向漏电流
带隙
泄漏（经济）
肖特基二极管
兴奋剂
硅
图层（电子）
纳米技术
宏观经济学
经济
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Sandeepan DasGupta; Oleksiy Slobodyan; Thomas G. Smith; Andrew Binder; Jack Flicker; et al 出版日期：2022-01-31 |
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