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标题
Low Threshold Voltage Shift in AlGaN/GaN MIS-HEMTs on Si Substrate Using SiNx/SiON as Composite Gate Dielectric
以SiNx/SiON为复合栅介质的Si衬底AlGaN/GaN MIS-HEMTs的低阈值电压漂移
相关领域
材料科学 光电子学 阈值电压 栅极电介质 电介质 晶体管 电容 电压 复合数 电气工程 复合材料 电极 工程类 物理化学 化学
网址
https://www.mdpi.com/2079-9292/11/6/895/pdf?version=16471612...
AI链接 mdpi.com mdpi.com doaj.orgdoi.org
DOI
10.3390/electronics11060895 doi
其它 期刊：Electronics
作者：Xiaodong Zhang; Xing Wei; Peipei Zhang; Hui Zhang; Li Zhang; et al
出版日期：2022-03-13
求助人
我就是我Andre 在 2025-12-05 16:08:02 发布自重庆，悬赏 10 积分
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