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标题
New reliability model for power SiC MOSFET technologies under static and dynamic gate stress
静态和动态栅极应力下功率SiC MOSFET技术的新可靠性模型
相关领域
数据表 可靠性（半导体） MOSFET 压力（语言学） 功率（物理） 功率MOSFET 平面的 电子工程 功率半导体器件 降级（电信） 沟槽 绝缘栅双极晶体管 材料科学 电气工程 计算机科学 工程类 晶体管 物理 电压 语言学 复合材料 哲学 图层（电子） 量子力学 计算机图形学（图像）
网址
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2023.115190
AI链接 laas.hal.sciencedoi.org
DOI
10.1016/j.microrel.2023.115190 doi
其它 期刊：Microelectronics Reliability
作者：M. Zerarka; Valeria Rustichelli; O. Perrotin; Jean-Michel Reynès; David Trémouilles; et al
出版日期：2023-10-01
求助人
小宁同学 在 2025-12-06 15:53:04 发布自吉林，悬赏 10 积分
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