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Pulsed 193 nm Excimer laser processing of 4H–SiC (0001) wafers with radiant exposure dependent in situ reflectivity studies for process optimization 脉冲193 nm准分子激光加工4H-SiC(0001)晶片,用于工艺优化的辐射暴露相关原位反射率研究
相关领域
材料科学
激光器
薄脆饼
准分子激光器
微电子
碳化硅
光电子学
穿透深度
脉冲持续时间
光学
半导体
复合材料
物理
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| 其它 |
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing 作者:Alvaro Menduina; Ángel F. Doval; Ralph Delmdahl; Elena Martín; Krishna Kant; et al 出版日期:2023-09-15 |
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