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Pulsed 193 nm Excimer laser processing of 4H–SiC (0001) wafers with radiant exposure dependent in situ reflectivity studies for process optimization
脉冲193 nm准分子激光加工4H-SiC（0001）晶片，用于工艺优化的辐射暴露相关原位反射率研究
相关领域
材料科学 激光器 薄脆饼 准分子激光器 微电子 碳化硅 光电子学 穿透深度 脉冲持续时间 光学 半导体 复合材料 物理
网址
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107839
AI链接 elsevier.comdoi.org
DOI
10.1016/j.mssp.2023.107839 doi
其它 期刊：Materials Science in Semiconductor Processing
作者：Alvaro Menduina; Ángel F. Doval; Ralph Delmdahl; Elena Martín; Krishna Kant; et al
出版日期：2023-09-15
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今后 在 2025-12-05 18:05:07 发布自浙江，悬赏 10 积分
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