Processing and characterization of N-polar GaN/AlGaN HFETs grown on 200 mm sapphire substrates

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标题	Processing and characterization of N-polar GaN/AlGaN HFETs grown on 200 mm sapphire substrates
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/5.02994...
DOI	10.1063/5.0299401 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Liubou Padzialioshkina; Arno Kirchbrücher; Qi Shu; Achim Noculak; Renato Negra; et al 出版日期：2025-10-27
求助人	Qiao 在 2026-03-01 17:11:22 发布自天津，悬赏 10 积分
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