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标题
Ultimate Scaling of the Metal‐MoS2 Interface Achieving High Performance Nanoscale Schottky Diodes via Conductive Atomic Force Microscopy
相关领域
肖特基二极管 材料科学 光电子学 肖特基势垒 二极管 纳米电子学 纳米尺度 纳米技术 导电原子力显微镜 金属半导体结 整改 原子力显微镜 功率（物理） 物理 量子力学
网址
https://doi.org/10.1002/smll.202411380
AI链接 wiley.com nih.govdoi.org
DOI
10.1002/smll.202411380 doi
其它 期刊：Small
作者：Saejin Oh; Chengyun Hong; Vu Khac Dat; Jeongyong Kim; Yooun Heo; et al
出版日期：2025-04-08
求助人
月月 在 2025-11-19 12:30:57 发布自江苏，悬赏 10 积分
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