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 First-Principles Calculation Guided High-Purity Layer Control of 4 in. MoS2 by Plasma RIE 第一性原理计算指导4英寸高纯层控制。等离子体RIE法MoS2
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期刊：Chemistry of Materials 作者：Changmin Kim; Muyoung Kim; Dong-Hyun Cho; Chaitanya Kanade; Hyunho Seok; et al 出版日期：2023-01-18 |
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