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Temperature effects on the performance of ferroelectric FET with random grain phase variation for non-volatile memory application 温度对非易失性存储器中随机晶粒相位变化铁电场效应管性能的影响
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Qiang Li; Minghao Li; Hsiao‐Hsuan Hsu; Leiying Ying; Baoping Zhang; et al 出版日期:2023-03-17 |
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