Suppression of Screw Dislocation-Induced Hillocks in MOCVD-Grown α-Ga2O3 on m-Plane Sapphire by Introducing a High-Temperature Buffer

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标题	Suppression of Screw Dislocation-Induced Hillocks in MOCVD-Grown α-Ga2O3 on m-Plane Sapphire by Introducing a High-Temperature Buffer
网址	https://doi.org/10.1021/acs.cgd.4c01472
DOI	10.1021/acs.cgd.4c01472 doi
其它	期刊：Crystal Growth & Design 作者：Zibo Li; Xiaodong Zhang; Li Zhang; Tiwei Chen; Gaofu Guo; et al 出版日期：2025-02-12
求助人	TACCAT 在 2026-09-22 13:47:04 发布自江苏，悬赏 10 积分
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