Study on 20 V LDMOS With Stepped-Gate-Oxide Structure for PMIC Applications: Design, Fabrication, and Characterization

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标题	Study on 20 V LDMOS With Stepped-Gate-Oxide Structure for PMIC Applications: Design, Fabrication, and Characterization 相关领域 LDMOS 符号击穿电压电气工程数学拓扑（电路）组合数学工程类算术电压
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2021.3131922
DOI	10.1109/ted.2021.3131922 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Sue-Yi Chen; Benjamin S Liao; Jia-Ching Dong; Tim Wang; Shu-Len Wang; et al 出版日期：2021-12-13
求助人	平常的凛在 2025-10-17 18:40:44 发布自陕西，悬赏 10 积分
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