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 Enhanced breakdown voltage and dynamic performance of GaN HEMTs with AlN/GaN superlattice buffer AlN/GaN超晶格缓冲器增强GaN HEMT的击穿电压和动态性能
相关领域
材料科学
缓冲器（光纤）
超晶格
光电子学
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晶体管
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期刊：Journal of Physics D 作者：Xin Chen; Yaozong Zhong; Shumeng Yan; Xiaolu Guo; Hongwei Gao; et al 出版日期：2023-04-26 |
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