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 Reverse Leakage Current Hysteresis in GaN Schottky Barrier Diodes Interpreted in Terms of a Trap Energy Band GaN肖特基势垒二极管反向漏电流滞后的陷阱能带解释
相关领域
光电子学
材料科学
肖特基二极管
磁滞
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Rubén Peña; B. Orfao; I. Íñiguez-de-la-Torre; G. Paz; Mahmoud Abou Daher; et al 出版日期：2024-06-11 |
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