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标题
Dependence of the radiative lifetime on the type-II band offset in GaAsxSb1−x/GaAs quantum dots including effects of photoexcited carriers
GaAsxSb1-x/GaAs量子点辐射寿命对II型能带偏移的依赖性，包括光激发载流子的影响
相关领域
光致发光 异质结 量子点 载流子寿命 带偏移量 电子 载流子 分子束外延 化学 辐射传输 量子阱 光电子学 材料科学 分子物理学 凝聚态物理 带隙 物理 纳米技术 光学 外延 硅 价带 激光器 量子力学 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1063/5.0105306
DOI
10.1063/5.0105306 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Yusuke Oteki; Yasushi Shoji; Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada
出版日期：2022-10-03
求助人
strive 在 2025-08-25 13:32:51 发布，悬赏 10 积分
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