Expanded InSe Crystal Structure with Reduced Intrinsic Defects for High‐Performance Field‐Effect Transistors

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标题	Expanded InSe Crystal Structure with Reduced Intrinsic Defects for High‐Performance Field‐Effect Transistors 用于高性能场效应晶体管的具有减少本征缺陷的膨胀InSe晶体结构相关领域材料科学凝聚态物理光电子学费米能级电子迁移率响应度带隙电子散射场效应晶体管有效质量（弹簧-质量系统）晶体管光学电压光电探测器物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1002/adma.202506506
DOI	10.1002/adma.202506506 doi
其它	期刊：Advanced Materials 作者：Zhenhua Wang; Min Jin; Kepeng Song; Zonghao Wang; Zheng Zhang; et al 出版日期：2025-10-14
求助人	Y.J 在 2025-10-31 08:22:36 发布自河南，悬赏 10 积分
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