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标题
Interface analysis of ultrathin SiO2 layers between c‐Si substrates and phosphorus‐doped poly‐Si by theoretical surface potential analysis using the injection‐dependent lifetime
基于注入相关寿命的理论表面电位分析C-Si衬底与磷掺杂多晶硅之间超薄SiO2层的界面
相关领域
钝化 材料科学 多晶硅 硅 兴奋剂 薄脆饼 氧化物 载流子寿命 掺杂剂 太阳能电池 晶体硅 光电子学 氧化硅 分析化学（期刊） 图层（电子） 纳米技术 化学 冶金 薄膜晶体管 氮化硅 色谱法
网址
https://doi.org/10.1002/pip.3338
DOI
10.1002/pip.3338 doi
其它 期刊：Progress in Photovoltaics
作者：Sung‐Jin Choi; Ji-Min Baek; Taejun Kim; Kwan Hong Min; Myeong Sang Jeong; et al
出版日期：2020-11-09
求助人
羊驼 在 2025-07-07 14:37:11 发布自江苏，悬赏 10 积分
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