The effect of post-hydrogen annealing and multilayer channel structure on nano-crystalline silicon thin film transistor performance

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标题	The effect of post-hydrogen annealing and multilayer channel structure on nano-crystalline silicon thin film transistor performance 氢后退火和多层沟道结构对纳米晶硅薄膜晶体管性能的影响相关领域退火（玻璃）薄膜晶体管材料科学纳米- 硅晶体管光电子学薄膜纳米技术复合材料电气工程工程类图层（电子）电压
网址	http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/43/19/195102
DOI	10.1088/0022-3727/43/19/195102 doi
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