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Resistive Switching by Voltage-Driven Ion Migration in Bipolar RRAM—Part I: Experimental Study
双极RRAM中电压驱动离子迁移的电阻开关——第一部分:实验研究
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期刊:I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者:Federico Nardi; Stefano Larentis; Simone Balatti; D. C. Gilmer; Daniele Ielmini 出版日期:2012-09-01 |
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