Ultrahigh Bias Stability of ALD In2O3 FETs Enabled by High Temperature O2 Annealing

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标题	Ultrahigh Bias Stability of ALD In2O3 FETs Enabled by High Temperature O2 Annealing
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10185199/10185158/101852...
DOI	10.23919/vlsitechnologyandcir57934.2023.10185292 doi
其它	期刊：2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Zhuocheng Zhang; Zehao Lin; Chang Niu; Mengwei Si; Muhammad A. Alam; et al 出版日期：2023-07-25
求助人	赫尔坤兰在 2026-09-26 19:07:17 发布自福建，悬赏 10 积分
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