High crystal quality β-Ga2O3 epitaxial films grown on porous n-GaN substrates

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标题	High crystal quality β-Ga2O3 epitaxial films grown on porous n-GaN substrates
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S136980012...
DOI	10.1016/j.mssp.2023.107859 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Rongrong Chen; Chongchong Zhao; Caina Luan; Jin Ma; Hongdi Xiao 出版日期：2023-09-28
求助人	半导体物理在 2026-04-25 17:49:31 发布自福建，悬赏 10 积分
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