Development of a 2-inch GaN wafer by using the oxide vapor phase epitaxy method

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标题	Development of a 2-inch GaN wafer by using the oxide vapor phase epitaxy method 用氧化物气相外延法制备2英寸GaN晶片相关领域薄脆饼材料科学外延结晶度过饱和度氧化物位错光电子学电阻率和电导率相（物质）气相复合材料化学冶金电气工程图层（电子）热力学物理有机化学工程类
网址	https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab12c8
DOI	10.7567/1347-4065/ab12c8 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Junichi Takino; Tomoaki Sumi; Yoshio Okayama; Masaki Nobuoka; Akira Kitamoto; et al 出版日期：2019-05-22
求助人	flyingbird 在 2025-12-03 16:04:57 发布自江西，悬赏 10 积分
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