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 Development of a 2-inch GaN wafer by using the oxide vapor phase epitaxy method 用氧化物气相外延法制备2英寸GaN晶片
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Junichi Takino; Tomoaki Sumi; Yoshio Okayama; Masaki Nobuoka; Akira Kitamoto; et al 出版日期：2019-05-22 |
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