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标题
Proton Irradiation-Induced Reliability Degradation of SiC Power MOSFET
质子辐照引起的SiC功率MOSFET可靠性退化
相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿 材料科学 碳化硅 辐照 MOSFET 介电强度 质子 可靠性（半导体） 压力（语言学） 功率MOSFET 电压 光电子学 降级（电信） 电介质 电气工程 栅极电介质 功率（物理） 核物理学 晶体管 物理 工程类 复合材料 哲学 量子力学 语言学
网址
https://doi.org/10.1109/tns.2023.3242829
AI链接 ieee.org urn.fidoi.org
DOI
10.1109/tns.2023.3242829 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science
作者：K. Niskanen; H. Kettunen; Daniel Söderström; Mikko Rossi; Jukka Jaatinen; et al
出版日期：2023-02-06
求助人
FebrisY 在 2025-12-06 10:25:54 发布自上海，悬赏 10 积分
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