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标题
Impact of process variation on the RF and stability performance of SiGe source-based epitaxial layer TFET
工艺变化对SiGe源基外延层TFET射频和稳定性能的影响
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截止频率 无线电频率 振荡（细胞信号） 材料科学 RFIC公司 光电子学 晶体管 图层（电子） 切断 电气工程 物理 纳米技术 电压 工程类 化学 量子力学 生物化学 CMOS芯片
网址
https://doi.org/10.1007/s10825-022-01924-7
DOI
10.1007/s10825-022-01924-7 doi
其它 期刊：Journal of Computational Electronics
作者：Radhe Gobinda Debnath; Srimanta Baishya
出版日期：2022-08-01
求助人
monicaj 在 2025-12-10 22:42:25 发布自辽宁，悬赏 10 积分
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