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标题
Influence of Hot Carrier Degradation on Total Ionizing Dose in Bulk I/O-FinFETs
热载流子退化对体I/O-FinFETs总电离剂量的影响
相关领域
降级（电信） 电离辐射 材料科学 光电子学 吸收剂量 MOSFET 电子工程 电气工程 辐照 物理 晶体管 工程类 核物理学 电压
网址
https://doi.org/10.1109/tdmr.2024.3431633
DOI
10.1109/tdmr.2024.3431633 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
作者：Ruxue Yao; Hongliang Lü; Yuming Zhang; Yutao Zhang; Jing Qiao; et al
出版日期：2024-07-29
求助人
闪闪大米 在 2025-12-09 17:01:29 发布自宁夏，悬赏 10 积分
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