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标题
Radiation degradation model of metal-oxide-semiconductor field effect transistor based on pre-irradiation 1/f noise
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网址
https://doi.org/10.7498/aps.57.5205
DOI
10.7498/aps.57.5205 doi
其它 期刊：Acta Physica Sinica
作者：Peng Shao-Quan; Lei Du; Yiqi Zhuang; Bao Jun-Lin; Liang He; et al
出版日期：2008-01-01
求助人
听雨 在 2025-10-16 22:21:17 发布自北京，悬赏 10 积分
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