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标题
On the Understanding of Defects in Short-Term Negative Bias Temperature Instability (NBTI) for Sub-20-nm DRAM Technology
关于亚20nm DRAM技术短期负偏压温度不稳定性(NBTI)缺陷的理解
相关领域
德拉姆 悬空债券 负偏压温度不稳定性 电荷（物理） 晶体管 可靠性（半导体） 材料科学 阈值电压 物理 光电子学 硅 量子力学 电压 功率（物理）
网址
https://doi.org/10.1109/led.2023.3266361
DOI
10.1109/led.2023.3266361 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Da Wang; Longda Zhou; Yongkang Xue; Pengpeng Ren; Zixuan Sun; et al
出版日期：2023-04-11
求助人
Mu5k 在 2025-08-30 20:26:35 发布，悬赏 10 积分
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