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 Influence of Si Doping on Dislocations and Mechanical Properties of GaAs Crystals Grown by Modified Vertical Bridgman Method Si掺杂对改进垂直布里奇曼法生长GaAs晶体位错和力学性能的影响
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期刊：Crystal Research and Technology 作者：Hongli Zhang; Min Jin; Hui Shen; Jiayue Xu 出版日期：2022-03-28 |
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