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 Atomic‐scale strain analysis for advanced Si/SiGe heterostructure by using transmission electron microscopy 先进Si/SiGe异质结构的原子尺度应变透射电镜分析
相关领域
异质结
透射电子显微镜
原子单位
材料科学
拉伤
原子力显微镜
光电子学
电子显微镜
比例（比率）
纳米技术
光学
物理
医学
量子力学
内科学
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| 其它 |
期刊：Electron 作者：Lan Li; Ran Bi; Zuoyuan Dong; Changqing Ye; Jing Xie; et al 出版日期：2024-04-04 |
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