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 Investigation of the interface electronic characteristics of β-Ga2O3 (1 0 0)/4H-SiC (0 0 0 1) β-Ga2O3（1 0 0）/4H-SiC（0 0 0 1）界面电子特性的研究
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氧化物
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化学物理
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Bei Xu; Jichao Hu; Jiaqi Meng; Xiaomin He; Hongjuan Cheng; et al 出版日期：2022-10-27 |
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