标题 |
Dependence of the Intermixing in InGaAs/InGaAsP Quantum Well on Capping Layer
InGaAs/InGaAsP量子阱中混合对封盖层的依赖性
相关领域
图层(电子)
材料科学
砷化镓
光电子学
纳米技术
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DOI |
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其它 |
期刊: 作者:최원준; 이정일; 우덕하; 이희택 出版日期:2004-01-01 |
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